三星和台积电偷笑：就算Intel技术牛又奈我何？

过去几年时间里，英特尔虽然在桌面领域仍过着“无敌是多么空虚”的日子，但是围绕其芯片制造技术的话题讨论越来越多了，特别是与很多开始被人熟知的芯片制造厂商相比，比如台湾的芯片制造商台积电。

很多话题讨论的开始，均是基于每一次非英特尔芯片制造商对制造工艺的升级。最初，台积电和三星明确表示，将以最快的速度从“20纳米”过渡的“14/16纳米”，而且将会重点发展称之为“FinFET”的晶体管结构器件，重点宣传新工艺相比传统而言芯片面积将得到大幅缩减，适配每一代工艺制程。

另一方面，当时英特尔也正处于22纳米工艺技术到14纳米的过渡中，并且英特尔也掌握了第二代FinFET（Tri-Gate）器件技术。不过，英特尔的动作太慢了，导致三星和台积电各自挑衅称，其16和14纳米已经领先英特尔，而英特尔仍无法完全脱离22纳米的工艺制程，并且还有事实证明，台积电的20纳米工艺的晶体管密度比英特尔的22纳米更高。

英特尔从22纳米过渡到14纳米的时间实在过漫长，这点不假，而且英特尔也意识到了，在工艺制程技术同步发展的过程中，晶体管密度的竞争相当重要。事实上，面对民间乃至业界广为谈论的误导性话题，英特尔并没有刻意的做任何回应，但当英特尔正式公布自家14纳米技术时，才真正确定了不可动摇的领先地位。

下图为英特尔官方提供的逻辑面积比例图：

从这个英特尔的图来看，英特尔承认自家的32纳米不如28纳米工艺，主要是指栅极与栅极之间的间距前者不如后者。再到22纳米与20纳米工艺的对比，结果亦是如此。不过，确实只有在14纳米和16纳米工艺节点，才超过了其余竞争对手，确立起领先的地位。

所以，三星和台积电所说的都是事实，这两大越来越出色的芯片代工厂在20纳米制程时代确是领先于英特尔22纳米。但不可否认英特尔新一代14纳米更为出色，至少晶体管密度的优势上超过了其他对手的14/16纳米工艺节点。

工艺是一回事，那晶体管的实际性能呢？

多年以来，英特尔从未放弃过任何吹嘘自己的芯片技术，只是在台积电和三星上位之后收敛了很多。而且，难能可贵的是英特尔竟然没有过度宣传自家的第二代FinFET工艺，毕竟其余竞争对手在其14纳米问世时，均处于第一代FinFET工艺水平。简单的说，英特尔14纳米正式问世之初，从晶体管性能的角度来看，整整领先了竞争对手一代。

在很多对芯片深度评测的机构报告中，尤其是权威站点ChipWorks，我们可以看到英特尔14纳米晶体管所有性能指标均领先于其他竞争对手。更重要的是，ChipWorks通过先进的透射电子显微镜观察分析发现，英特尔14纳米芯片的晶体管鳍片间距做得最为紧密，堪称这个星球上迄今最先进的半导体工艺，全面领先代工厂的14/16纳米。

英特尔22纳米和14纳米晶体管鳍片细节对比：

所以，质疑英特尔在晶体管性能优势竞争中落后的人都该闭嘴了。为什么，将下面三星的14纳米FinFET工艺晶体管细节与上面英特尔的对比就能明白。在22纳米时代，英特尔的晶体管鳍片的确不够出色，但14纳米鳍片看起来已近乎“垂直”，使得了鳍片更高、更薄，更易于提高晶体管的驱动电流和性能。

而三星的14纳米FinFET工艺晶体管细节，请注意看，很显然更像是2011年英特尔22纳米工艺时代的水平，宣称超越难免有点大嘴了，毕竟无论如何还是基于第一代FinFET工艺打造。

三星14纳米FinFET晶体管细节图：

当然了，性能突飞猛进不太现实，而且英特尔考虑到了移动领域和其他应用的竞争，毕竟在这些领域不需要非常高的CPU频率。但说到频率，英特尔的14nm驾驭大于4GHz不会存在任何技术障碍，而代工厂的14/ 16纳米当前仍然相当困难。

代工厂一直在进步

不可否认，在芯片制造业，各大代工厂尤其是三星和台积电的进步非常之大，并且正在加快步伐缩减与英特尔的技术差距，尽管英特尔长期处于领先，但当前十分需要将差距拉开更大。

我们不清楚英特尔是否是缺乏竞争压力，但在移动领域，三星14纳米FinFET、台积电16纳米FinFET两大工艺的竞争可谓空前惨烈，从合伙代工苹果A9，到争抢各路订单，杀得好不热闹。更重要的是，两大代工厂已经做好了部署全新工艺制程的准备，不止是第二版，还包括第三版。

例如说，台积电第一代是标准的16纳米FinFET工艺，之后推出的第二代FinFET Plus（FF+）增强版已经部署。至于下一代FinFET Compact（FFC）也已经完成了设计研发，并确定本季度就可以投入量产，提前了大半年。

三星方面，其第一代14纳米是Low Power Eatly（LPE），现在第二代Low Power Plus（LPP）已经开始量产，重点产品为Snapdragon 820和Exynos 8890。三星高管声称，衍生于第二代的下一版14纳米也将很快推出。

更长远的计划上，无论是三星和台积电都已经开始朝着10纳米的目标迈进。台积电表示，10纳米今年即可试产，正式批量生产等到2016年年底，或者是2017年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的线路图，坚称2016年年底10纳米就可量产，2017年一定会出现在手机和平板电脑上。

反观英特尔，不仅桌面处理器“Tick-Tock”策略在两年前已经被打破，而且第一款基于10纳米工艺的产品按计划要等至2017年下半年才能推出。除非英特尔改革研发模式，否则今年年底将丧失工艺领先的地位。作为半导体芯片领域的巨头，英特尔长期自信满满，但在当前竞争环境中，还真的得加把劲了。

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