时间:2014-11-15 10:49:03 来源: 复制分享
韩国网站ETNews消息称,三星正忙着打造超快的UFS 2.0 NAND存储芯片,有望出现在明年的旗舰Galaxy S6中,其数据传输速度可达每秒钟1.2GB。目前使用eMMC NAND闪存技术,数据传输速度可达400MB/s。UFS是Universal Flash Storage的缩写,它将SSD与高效的MMC卡结合,所提供的带宽可确保通过LTE-A连接传输庞大的数据(如超高清分辨率的视频)。消息还称,UFS的电量消耗是eMMC 5.0的一半。
另一家瞄准UFS的公司是小米,消息称小米会在“下一代型号”中采用该技术,不过目前不清楚小米的计划。消息还表示,三星会逐渐使用基于UFS的解决方案取代SD和MicroSD卡。
三星的一名代表表示公司“UFS的应用主要集中于旗舰智能手机”,并提到“这款新机会在明年推出”,其配置“还没有最终确定”。这看上去指的应该就是三星Galaxy S6。(via:Phonearena)